c.RAPID 200

c.RAPID 200 RTP Anlage
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快速热处理系统

c.RAPID 200 RTP 系统是一种灵活的工艺设备,用于在惰性加工环境或活性加工环境下对硅、锗与化合物半导体晶圆与器件进行均匀的可控加热。

商先创公司以合理的成本把精密温度与环境控制以及自动晶圆运输技术运用于小尺寸晶圆加工。

c.RAPID 200 加热条件从200°C到1200°C不等,加热时间从几秒钟到几分钟不等。采用先进的反馈温度控制与现代图形用户界面。模块化系统设计允许采用同样的加工反应腔与加工配方进行大批量制造的开发与小规模试验性生产配置。

优点

  • 加工多种材料,包括硅、化合物半导体(例如碳化硅、氮化镓、磷化铟、砷化镓等)、蓝宝等
  • 能够加工支撑架上或在“盒”内的晶圆或器件
  • 全自动或半自动晶圆运输(包括每次行程运输多片晶圆的选项)
  • 先进的反馈温度控制(使用光学高温计)
  • 温度范围200至1200°C
  • 晶圆加工尺寸从100和200毫米
  • 优异的均匀性
  • 低压运转

工艺流程

  • STI衬垫
  • 增强高k介质界面的可靠性
  • 界面氧化物生成与退火
  • 沉积氧化物致密化
  • FinFET 栅氧化
  • RRAM与MRAM金属氧化