选择性发射极技术

晶硅太阳电池的基础结构包含正负两种不同的参杂区域。借助这种所谓的pn结，通过光伏效应所产生的电荷将会被分离，并且通过金属电极被导向表面。

对于采用均匀发射极的标准太阳电池而言，发射极的掺杂始终是一种折中方案：为了最小化半导体和金属电极之间的接触电阻，需要增大发射极层中n掺杂物的量。但是，随着磷浓度的增加，复合损失也会随之增大，这对于发电会产生不利的影响。

借助centrotherm photovoltaics的选择性发射极技术，就可以控制发射极中磷的浓度。可以使只有前表面金属电极部位的磷浓度较高，也就是形成较低的发射极电阻。与之相反，剩下部分的掺杂量较少，从而使得电池的更多部分能够被用于发电。这样一来，一方面可以提高太阳电池的性能，另一方面还提高了太阳能电池的连接性能。

制造选择性发射极的太阳电池，相比于标准工艺，需要增加一道额外的生产工序。在POCl₃扩散后，需要将磷硅玻璃中所含磷的一部分精确且无缺陷地扩散到电池表面去。
对此，centrotherm提供了一道自主研发的激光工艺以及配套的激光加工设备c.LAS，可以提高电池效率最多达0.4%。

我们将选择性发射极技术整合到了我们的“交钥匙”生产线FlexLine Plus上，并将此作为现有生产线的可选升级产品包。这样一来，无论是新客户，还是多年来一直采centrotherm成熟标准工艺的客户，都可以从选择性发射极技术中受益。